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Artigo de periodico
Statistical modeling of epitaxial thin films of an intrinsic antiferromagnetic topological insulator (2022)
Penacchio, Rafaela Felix da Silva ; Fornari, Celso I.; Camillo, Yorí G.; Kagerer, Philipp; Buchberger, Sebastian; Kamp, Martin; Bentmann, Hendrik; Reinert, Friedrich; Morelhão, Sergio Luiz
Fonte: Thin Solid Films. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
PENACCHIO, Rafaela Felix da Silva et al. Statistical modeling of epitaxial thin films of an intrinsic antiferromagnetic topological insulator. Thin Solid Films, v. 750, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2022.139183. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Penacchio, R. F. da S., Fornari, C. I., Camillo, Y. G., Kagerer, P., Buchberger, S., Kamp, M., et al. (2022). Statistical modeling of epitaxial thin films of an intrinsic antiferromagnetic topological insulator. Thin Solid Films, 750. doi:10.1016/j.tsf.2022.139183
NLM
Penacchio RF da S, Fornari CI, Camillo YG, Kagerer P, Buchberger S, Kamp M, Bentmann H, Reinert F, Morelhão SL. Statistical modeling of epitaxial thin films of an intrinsic antiferromagnetic topological insulator [Internet]. Thin Solid Films. 2022 ; 750[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2022.139183
Vancouver
Penacchio RF da S, Fornari CI, Camillo YG, Kagerer P, Buchberger S, Kamp M, Bentmann H, Reinert F, Morelhão SL. Statistical modeling of epitaxial thin films of an intrinsic antiferromagnetic topological insulator [Internet]. Thin Solid Films. 2022 ; 750[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2022.139183
Artigo de periodico
Molecular beam epitaxy of antiferromagnetic (MnBi2Te4)(Bi2Te3) thin films on BaF2 (111) (2020)
Kagerer, Philipp ; Fornari, Celso Israel ; Buchberger, S.; Morelhao, Sergio L.; Vidal, R. C.; Tcakaev, Abdul-Vakhab ; Zabolotnyy, V.; Weschke, E.; Hinkov, Vladimir ; Kamp, Martin ; Büchner, B.; Isaeva, Anna ; Bentmann, H.; Reinert, F.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X, FILMES FINOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
KAGERER, Philipp et al. Molecular beam epitaxy of antiferromagnetic (MnBi2Te4)(Bi2Te3) thin films on BaF2 (111). Journal of Applied Physics, v. 128, n. 13, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0025933. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Kagerer, P., Fornari, C. I., Buchberger, S., Morelhao, S. L., Vidal, R. C., Tcakaev, A. -V., et al. (2020). Molecular beam epitaxy of antiferromagnetic (MnBi2Te4)(Bi2Te3) thin films on BaF2 (111). Journal of Applied Physics, 128( 13). doi:10.1063/5.0025933
NLM
Kagerer P, Fornari CI, Buchberger S, Morelhao SL, Vidal RC, Tcakaev A-V, Zabolotnyy V, Weschke E, Hinkov V, Kamp M, Büchner B, Isaeva A, Bentmann H, Reinert F. Molecular beam epitaxy of antiferromagnetic (MnBi2Te4)(Bi2Te3) thin films on BaF2 (111) [Internet]. Journal of Applied Physics. 2020 ; 128( 13):[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0025933
Vancouver
Kagerer P, Fornari CI, Buchberger S, Morelhao SL, Vidal RC, Tcakaev A-V, Zabolotnyy V, Weschke E, Hinkov V, Kamp M, Büchner B, Isaeva A, Bentmann H, Reinert F. Molecular beam epitaxy of antiferromagnetic (MnBi2Te4)(Bi2Te3) thin films on BaF2 (111) [Internet]. Journal of Applied Physics. 2020 ; 128( 13):[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0025933
Trabalho de evento-anais periodico
Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector (2019)
Al Zeidan, Ahmad ; Cantalice, Tiago F. de; Garcia, Ailton J.; Deneke, Christoph F.; Quivy, Alain André
Fonte: IEEE. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assuntos: FÍSICO-QUÍMICA, FOTODETECTORES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, ELETRÔNICA QUÂNTICA, FILMES FINOS, SEMICONDUTIVIDADE
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ABNT
AL ZEIDAN, Ahmad et al. Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919349. Acesso em: 09 maio 2024. , 2019
APA
Al Zeidan, A., Cantalice, T. F. de, Garcia, A. J., Deneke, C. F., & Quivy, A. A. (2019). Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919349
NLM
Al Zeidan A, Cantalice TF de, Garcia AJ, Deneke CF, Quivy AA. Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919349
Vancouver
Al Zeidan A, Cantalice TF de, Garcia AJ, Deneke CF, Quivy AA. Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919349
Tese (Doutorado)
Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos (2004)
Lamas, Tomás Erikson; Quivy, Alain André, (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: FILMES FINOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, SEMICONDUTORES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
LAMAS, Tomás Erikson. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Lamas, T. E. (2004). Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
NLM
Lamas TE. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 2004 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
Vancouver
Lamas TE. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 2004 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/

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